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PHD63NQ03LT,118相关型号
NXP热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • PHD63NQ03LT,118

  • 制造商：NXP USA Inc.
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列TrenchMOS™
  • 零件状态停產
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）68.9A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V，10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）13 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）9.6nC @ 5V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）920pF @ 25V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）111W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

其它信息

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